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전북대 연구진이 차세대 반도체 기판을 제작할 수 있는 핵심 기술을 개발했다.

전북대는 반도체과학기술학과 최철종·심규환 교수팀이 실리콘(Si) 반도체 기판 위에 게르마늄(Ge) 에피층을 씌우는 ‘GOS(Ge-on-Si) 에피기판’을 개발했다고 21일 밝혔다. 에피는 반도체 소자를 제조하면서 기판 위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것을 말한다.

이 신기술은 기존 실리콘 기판에 게르마늄 기판의 우수성까지 더한 기술로, 전자의 이동도가 매우 높으면서도 표면과 저항의 균일도가 매우 우수하다고 연구진은 밝혔다.

이에 따라 앞으로 CPU나 모바일프로세서 등 성능이 우수한 메모리·비메모리 반도체 칩을 광범위하게 생산하는 데 적지 않은 도움이 될 것으로 기대된다.

또 자체 제작한 장비로 신기술을 개발했다는 점에서 관련 장비의 국산화에도 크게 이바지할 것이라는 게 연구진의 설명이다.

반도체물성연구소장인 최철종 교수는 “외국의 경우 IBM·인텔 등 주요 기업 및 연구기관이 게르마늄(Ge)를 기반으로 하는 차세대 CMOS에 대한 기술개발에 적극 나서는 반면 국내 업체·연구기관들은 아직 실리콘 반도체에만 주력하고 있는 상황”이라며 “이번 신기술을 통해 현재 4건의 특허 출원과 12건의 SCI논문 발표 등이 이뤄진 만큼 GOS 에피기판의 국산화 및 수출 등이 기대된다”고 밝혔다.

최철종 교수는 또 “우리나라가 반도체 산업 강국으로서의 위상을 더욱 높일 수 있을 것”이라고 말했다.